El artículo «A New Extended Infrared Vidicon» de Kawai et al. (1988) describe una innovadora tecnología de vidicon infrarrojo que extiende su sensibilidad hasta longitudes de onda de 2.7 micrómetros. Esta nueva capacidad responde a la demandante necesidad de dispositivos capaces de operar en esta gama de longitudes de onda, impulsada por aplicaciones que van desde la termografía hasta la inspección de materiales semiconductores. No es casualidad que este avance haya sido recibido con gran interés, dado que materiales como el silicio (Si) y el arseniuro de galio (GaAs), comúnmente utilizados en la industria de los semiconductores, son transparentes a estas longitudes de onda.
El artículo se sumerge en los detalles técnicos del diseño del tubo vidicón infrarrojo (IR vidicon). Este dispositivo emplea un blanco fotoconductor formado por una película negra y porosa de PbO (óxido de plomo) y PbS (sulfuro de plomo). Este blanco es logrado mediante un proceso que incluye la deposición de PbO sobre una placa de vidrio, seguida de un tratamiento térmico en vapor de azufre, resultando en una estructura cristalina que optimiza la sensibilidad del dispositivo. La clave de la innovación reside en un nuevo método de sulfuración que incrementa la concentración de PbS, mejorando drásticamente la respuesta espectral y la sensibilidad del vidicón.
El artículo también examina las características de transferencia de luz del vidicón, medidas utilizando un espectrómetro infrarrojo y un láser de centro F excitado por un láser de criptón. Los resultados muestran que el nuevo método de fabricación aporta una mayor uniformidad en la sensibilidad espectral y una mayor sensibilidad en la región de 1.0-2.7 micrómetros. La estructura electrónica del dispositivo, con su cañón de electrones y el montaje de bobinas de deflexión y enfoque magnéticas, refleja un diseño que minimiza las interferencias de la luz parásita, garantizando una operación precisa.
El vidicón infrarrojo desarrollado presenta aplicaciones significativas en la inspección no destructiva de semiconductores y circuitos integrados. Las imágenes obtenidas muestran redes de circuitos y enlaces de unión con gran detalle, permitiendo distinguir diferentes niveles de energía en los semiconductores mediante pequeños cambios en la longitud de onda. Además, se ha probado en la detección de patrones de láser y en la medición del diámetro del campo de modo en fibras ópticas monomodo, subrayando su versatilidad en las comunicaciones ópticas.
En conclusión, Kawai et al. logran extender el rango de longitudes de onda operativas de los vidicones infrarrojos hasta 2.7 micrómetros mediante una refinada técnica de sulfuración que mejora la incorporación de PbS en el blanco fotoconductor. Este avance abre nuevas posibilidades en la visualización y medición de fenómenos infrarrojos, con importantes repercusiones en el campo de la electrónica de semiconductores y las comunicaciones ópticas. La robustez y versatilidad del nuevo vidicón infrarrojo auguran un amplio rango de aplicaciones industriales y científicas, subrayando su rol crucial en el avance de la tecnología de detección infrarroja.
